資料簡介
20世紀50年代初期,電子學中半導體材料崛起,觀察到半導體的電性能與雜質含量有關。由于重金屬雜質具有電活性,嚴重降低單晶硅中載流子壽命,所以其含量需在1ng/g或0.1ng/g以下,測定雜質含量在10-6%—10-8%或更低。半導體材料使人們認識到痕量元素在超純材料中的重要性,從而開辟了痕量分析的新時代。
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